Micron RealSSD C400 /C400V /Crucial (Lexar Media) m4(^Д^) [2011/03~]

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  • 概要
    C400 は C300 の正常進化型で Micron 製 25nm プロセスの 2bitMLC NAND フラッシュメモリと 88SS9174-BLD2 という新型のコントローラー(詳細不明、-BJP2 と大きな差は無く高クロック化し転送速度を向上させ、機能を追加し 25nm に対応したものであるとの事)を搭載している。基板は C300/P300 に良く似ているが NAND フラッシュメモリチップが TSOP パッケージになったのに合わせた新設計。ケース形状や Crucial 版が Micron 版のケースにステッカー (水色) を貼っただけのものである点やスペーサーにて 7.0mm 厚版と 9.5mm 厚版を作り分けている点も C300 と同じ。64GB 版のみ名称が C400V となり保証書き込み量と DRAM キャッシュ容量が半分となる。また 512GB 版は DRAM キャッシュが 512MB になっている。従来通りMicron ブランド品は OEM とバルク (三月から国内で流通が開始しているがメーカー保証無しの平行輸入品) のみ供給し、リテールパッケージはレキサーメディア (Crucial) からのみ m4 という名称で四月末から販売された。(国内代理店は C300 に引き続き ST-Trade、JDS、ITC) Crucial は C300 では Micron 版と似た名称・型番を使用していたが、C400 ベースの m4 からは名称・型番共に Crucial 独自色の強いものとなった。(google で "C300" を検索すると自動車の 「Mercedes Benz C300」がヒットしていた事"C400"で検索すると DELL のノート PC "Latitude C400"がヒットしていた事が原因の可能性がある。また"m4"とわざわざ小文字になっているのは大文字だと米軍の正式ライフル"M4 Carbine"と紛らわしい為と言われている。型番の方は Micron に似た長いものではなく短く覚えやすいものにされている。C300 ではフリーズするバグを抱えたまま白を切って一年間売り続ける等、レキサーメディア /Crucial のマーケティング能力は高い。)

  • C300 登場時は高いシーケンシャル速度で注目を集めたものの、C400 登場時には既により公称スペックが上の Intel SSD 510、PLDS M2S、Vertex 3 等が登場しており注目度は低い。また、やはり日本語のサポートページなどは用意されていない。


公式フォーラム(英語)
Product Brief (PDF)
C400V 1.8"Datasheet (PDF)
C400 1.8"Datasheet (PDF)
C400V 2.5"Datasheet (PDF)
C400 2.5"Datasheet (PDF)

  • GC と速度低下
    C300 同様 GC の頻度が少なすぎる問題があり Trim が使用できない環境では大幅に速度低下を起こすので Trim 対応環境が必須かつ書き込み量が多い・常にドライブに何らかのアクセスが発生するような用途に適さない。 (AnandTech によると他の SSD は空きページ・ブロック断片化を解消する為にリアルタイムで GC を行い、その為にベンチ上でレイテンシが平均・最大共に高くなる傾向にあるが C300/C400 はこれを行わないためにベンチマークでレイテンシが低くなり一見高速に見える。しかし GC が開始されるタイミングが遅すぎる為空きページ・ブロックの断片化が起こりやすく速度低下が大きいとしている。また速度低下している状態でのランダムライト中には最大で 1.4 秒の遅延が発生している。AnandTech は殆どのユーザーの環境ではここまで速度低下はしないと思うと言っているが、同時に何ヶ月も継続使用テストを行うことは難しいので断言も出来ないとしている。)

  • パフォーマンス
    C300 はランダムリード・ライト共に 4KB に最適化され 512byte の IOPS がリード・ライト共に 4KB IOPS 以下と非常に低かったが、C400 ではランダムリード IOPS は 512byte < 4KB で 4KB に最適化されている点では C300 と変わらないものの、それでも SSD 510 や PLDS M2S よりも ランダムリード 512byte IOPS が上回っており、ランダムライト IOPS に関しては C300 と異なりブロックサイズ 4KB よりも 512byte の方がスコアが高くなっている為 C300 の重大な弱点のひとつが解決され体感速度が向上している可能性がある (また C300 程は極端にパーティションアライメントの影響を受け辛くなっている可能性がある)。但し実使用系のベンチマークのスコアは C300 と大差ないか下がっているものもあり、SSD 510 や Vertex3 に劣っている場合が多い。シーケンシャルは高速 (読み出しが速く書き込みは遅い非対称な性能) なのでどちらかというとデータドライブ (読み出し専用) に最適である。

  • 25nm
    NAND フラッシュメモリが 25nm にシュリンクされたが、Micron は NAND フラッシュメモリに関しては本業でありフラッシュメモリに対するテストは万全な為寿命についてはそれなりに期待出来る。AnandTech によると Micron の 25nm は保障書き換え回数が 3000 回だが同じシリコンを使用する Intel は 5000 回であり、回数の違いはテスト・検証方法の違いによるもので品質に違いは無いとの事。

  • 各種トラブル
    公式フォーラムには各種トラブル報告が上がっており、そのうちいくつかは C400/m4 固有のものである可能性がある。なんらかのトラブルが発生したら公式フォーラムの似た事例を探す事。C300 同様 SATA LPM の問題が発生しており C300 同様の対処方法を行う事。C300 同様 MacBook へ搭載した場合に動作が不安定になるが、これも C300 同様 MacBook 側に問題がある可能性が高い。
  • 2011/5/13 M4 Dell XPS 17 Blue Screen

RealSSD C400/ Crucial m4 が他の SSD よりも優れているポイント
  • Intel の SSD 510 や Vertex 3、PLDS の M2S 等はケースが 9.5mm 厚固定だが、C400/m4 はなんとスペーサーを外すと手軽に 7.0mm 厚に!


  • スペック一覧
ブランド・型番※ 容量
(user/
搭載量)
形状 シーケンシャル
リード/ライト
(MB/s)
RR4KB/RW4KB
(IOPS QD=32)
保証
書き込み量※2
保証 価格
Micron MTFDDAC064MAM-1J1
Crucial CT064M4SSD2
Crucial CT064M4SSD2CCA
64GB
/64GiB
2.5"SATA
(厚さ 9.5mm)
415/95 MB/s 40,000/20,000 36TBW 三年 -
Micron MTFDDAC128MAM-1J1
Crucial CT128M4SSD2
Crucial CT128M4SSD2CCA
128GB
/128GiB
415/175 MB/s 40,000/35,000 72TBW
Micron MTFDDAC256MAM-1K1
Crucial CT256M4SSD2
Crucial CT256M4SSD2CCA
256GB
/256GiB
415/260 MB/s 40,000/50,000
Micron MTFDDAC512MAM-1K1
Crucial CT512M4SSD2
Crucial CT512M4SSD2CCA
512GB
/512GiB
Micron MTFDDAK064MAM-1J1 64GB
/64GiB
2.5"SATA
(厚さ 7.0mm)
415/95 MB/s 40,000/20,000 36TBW
Micron MTFDDAK128MAM-1J1 128GB
/128GiB
415/175 MB/s 40,000/35,000 72TBW
Micron MTFDDAK256MAM-1K1 256GB
/256GiB
415/260 MB/s 40,000/50,000
Micron MTFDDAK512MAM-1K1 512GB
/512GiB
Micron MTFDDAA064MAM-1J1 64GB
/64GiB
1.8"SATA
(厚さ 5.0mm)
415/95 MB/s 40,000/20,000 36TBW
Micron MTFDDAA128MAM-1J1 128GB
/128GiB
415/175 MB/s 40,000/35,000 72TBW
Micron MTFDDAA256MAM-1K1 256GB
/256GiB
415/260 MB/s 40,000/50,000
Micron MTFDDAA512MAM-1K1 512GB
/512GiB
※1 Crucial ブランド型番末尾"CCA"のものは C300 に引き続きパーティションコピーソフトと USB 変換アダプタ付属。今のところ Crucial は 1.8"版は扱っていない
※2 ドライブ全域、シーケンシャル 50% + ランダム 50% (内訳 128k 35% + 64k 35% + 32k 10% + 16k 10% + 8k 5% + 4k 5%) 時のもの

コントローラーチップ 製品版 /88SS9174-BLD2 P3T0370.5 / P3T0370.6
ES /88SS9174-BKK2 P6B5960D.1
ファームウェア 0001
フラッシュメモリ 256GB 版 /Micron 29F128G08CFAAB (25nm 2bitMLC 16GB)* 16
512GB 版 /Micron MT29F256G0CJAAB (25nm 2bitMLC32GB) * 16
訂正不能エラーレート 1/10^15
DRAMキャッシュ 64GB版 /DDR3 128MB (?)
128/256GB版 /DDR3 256MB (MT41J128M16HA-15E:D)
512GB版 /DDR3 512MB (MT41J128M16HA-15E:D * 2)
衝撃耐性(動作中) 1500 G/1.0ms
振動耐性(動作中) 2-500 Hz at 3.1G
動作温度 0-70度
インターフェース SATA3.0 6Gbps (ATA8-ACS) Trim/NCQ(QD=32)対応
コネクタ形状 SATA (1.8インチ版のみコネクタ形状は microSATA)
消費電力(最大) 2.3W/64GB~4.9W/512GB
消費電力(待機時) 0.08W
動作電圧 5V (2.5"版)
3.3V (1.8"版)
重量 73~75g/2.5"版
45g/1.8"版
※フラッシュメモリはTSOPパッケージとなり、それに合わせてPCBも変更されている。2.5"版と1.8"版は C300 同様別設計基板となっている。シンガポール製。

  • ファームウェアアップデート履歴
バージョン リリース日時 変更点 備考
Ver.0001 2011 - 初期搭載

Micron RealSSD PCI-Express ?

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Micron RealSSD C500 ?

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  • Micron のロードマップによると 2011 年中に 20nm プロセスの生産が開始される。C400 の量産開始後一年から一年半程度で C400 の後継機種が登場すると思われる。

Micron RealSSD の S.M.A.R.T.の読み方
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項目 項目名 値の区分 閾値 詳細
01 リードエラーレート Normalized 0 SATAインターフェース上での 1MB あたりの ECC エラー数。
100 から徐々に低下する。
05 代替処理済のセクタ数 Raw 工場出荷後に代替された NAND フラッシュメモリのブロック数
09 使用時間 累積通電時間
0C 電源投入回数 電源のオン/オフの累積回数
AA 不良ブロック増加数 工場出荷後に不良ブロックを代替する為に使用されたブロック/ページ数
AB 書き込み失敗回数 Normalized NAND への書き込み失敗回数。
100 から徐々に低下する。
AC 消去失敗回数 NAND のデータ消去失敗回数。
100 から徐々に低下する。
AD ウェアレベリング回数 Raw 全ての良ブロックの消去回数の平均値
AE アンセーフシャットダウン 安全でないシャットダウンが発生した回数
B5 非 4KB アラインアクセス Normalized・Raw アライメントが合っていないアクセス及び 4KB 未満のブロックサイズでの
アクセスがリード・ライト両方ともカウントされる。
現在値は直前の 100万 コマンド中の非アラインアクセスの割合、
生の値は実際の回数を6万で割ったもので上位 16bit が書き込み、下位 16bit が読み込みの分
B7 SATA リンク速度低下 Raw SSD か SATA コントローラーが原因で SATA のリンク速度が一段階下がった回数
BB 報告された訂正不能エラー SATA コントローラーから報告された訂正不能なエラーの回数。
SMART セルフテスト等のエラーは含まれない。
BC コマンドタイムアウト HRESET、COMRESET、SRST、その他のアクティブなコマンドが中断された回数
BD 製造時の不良ブロック数 出荷時の検査で不良と判断された不良ブロック数
C3 不明 - - 説明無し
C4 セクタ代替処理発生回数 Raw 0 不良セクタが代替セクタで代替された回数
C5 代替処理保留中のセクタ数 すぐに代替される為いつもゼロ
C6 回復不可能セクタ数 S.M.A.R.T.オフラインスキャンで発見された訂正不能エラー数
C7 UDMA CRC エラー UDMA 転送中に発生した CRC エラーの回数
CA 残存寿命 全てのブロックの平均消去回数/スペック上の最大消去回数
(MLCは5,000、SLCは100,000※)。
初期は100%で徐々に0%まで推移する。
CE ライトエラーレート Normalized ユーザーが書き込みを試みた全データの内 1MB あたりに対する
書き込みコマンド失敗回数
※参考にした文書は Micron 公式にある TN-FD-03 (2010/09)。対象機種は明記されていないものの文書の日付から C300 と P300 に使用されている 34nm を想定した数値と思われる。C200/P200 の場合はより数値は大きく、C400/P400?の場合はより数値が小さくなる。尚、C300/400 では SMART で温度を取得する事は出来ない。